SIMM (Single In-Line Memory Module)
Single pada SIMM ini dimaksudkan dalam penomoran pin. Pada penampakan fisiknya, pin dan pin yang berada tepat dibaliknya memilki nomor yang sama. Artinya kedua pin itu sekuens proses yang sama.
SIMM pertama kali dibuat dalam modul 8 bit. Hal ini dimaksudkan untuk penyelarasan lebar data dari processor itu sendiri. SIMM generasi pertama ini diperuntukkan PC generasi sebelum 80286. Sebagai catatan, Processor generasi 8086 dan teman-temannya, hanya memiliki lebar data untuk floating point (representasi internal dari sebuah processor yang menganggap semua bilangan yang diterima oleh bagian input ALU dan/atau CU menjadi bilangan biner tak bertanda [unsigned binary representation]. Bila bilangan yang diubah ke biner memiliki lebih dari 8 digit bilangan, maka perhitungan akan dilakukan dengan 8 digit terkahir dan terus dilakukan berulang-ulang hingga perhitungan sesuai dengan bilangan semula) sebesar 8 bit.
Perkembangan processor juga turut mendorong perkembangan SIMM. Pada processor 32 bit (generasi Pentium), ketergantungan pada L2-Cache sangat tinggi. Tentunya membutuhkan memori 32 bit juga agar tidak terjadi bottle-neck. Pada modul 32 bit ini biasanya ditemukan 2,4,atau 8 chip di salah satu sisinya (dari penampakan fisik SIMM). Jadi dalam 1 keping memori modul yang terdiri dari 8 chip, akan bernilai 32MB.
Perhitungannya seperti berikut.
8 chip X [32bit/sel X 524288 sel] / 8 bit/MB = 32MB.
SIMM ini dapat digabungkan dengan sesama SIMM sendiri. Meskipun kecepatan akses data yang berbeda dan/atau merek yang berbeda pula. Akan tetapi, SIMM tidak bisa digabungkan dengan DIMM. Hal ini karena akan terjadi “kebingungan” MotherBoard untuk menginisialisasi akses ke memori mana.
SIMM juga dikelompokkan berdasarkan jumlah pin.
• 30 pins
pertama kali dibuat dalam modul 8 FPM (Fast Page Mode) yang memiliki kecepatan 80ns maksimal Bandwidth (lebar jalur data) : 176MB/sec.
• 72 pins
FPM yang berkecepatan 70ns
EDO (Extended Data Output) yang berkecepatan 60ns, maksimal Bandwidth: 264 MB/sec
Tips Memasang SIMM
1. Berapa jumlah soket SIMM (berwarna putih dengan kunci kaki dari logam berwarna perak) yang belum terisi. Hal ini mempengaruhi jumlah Memory Bank yang ada, serta tata cara pengisiannya. (untuk beberapa MotherBoard yang “kuno”).
Soket SIMM
| Bank 1 | Bank 2 | Total RAM |
| 16MB + 16MB | - | 32MB |
| 16MB + 16MB | 32MB + 32MB | 96MB |
| 32MB + 32MB | 32MB + 32MB | 128MB |
2. Jenis SIMM yang akan dipasang (soket SIMM hanya mendukung jenis FPM dan EDO).
3. Keberadaan soket DIMM (berwarna gelap dengan kunci kaki dari plastik berwarna putih). Jika ada soket DIMM lebih baik “buang” SIMM dan gantilah dengan DIMM, karena kinerja DIMM lebih baik dari SIMM. Bila tidak di”buang”, maka akan terjadi bottle-neck kinerja memori, walaupun MotherBoard tidak menunjukkan gejala suatu kesalahan.
DIMM (Dual In-Line Memory Module)
DIMM (dual in-line memory module) – Berkapasitas 168 pin, kedua belah modul memori ini aktif, setiap permukaan adalah 84 pin. Ini berbeda daripada SIMM yang hanya berfungsi pada sebelah modul saja. Mensuport 64 bit penghantaran data. SDRAM (synchronous DRAM) menggunakan DIMM. Merupakan penganti dari
DRAM, FPM (fast page memory) dan EDO. SDRAM pengatur (synchronizes) memori supaya sama dengan CPU clock untuk pemindahan data yang lebih cepat. Terdapat dalam dua kecepatan yaitu 100MHz (PC100) dan 133MHz (PC133).
SO-DIMM (Outline Dual In-Line Modul Memori)
Sebuah SO-DIMM, atau small outline dual in-line modul memori, adalah jenis memori komputer dibuat menggunakan sirkuit terpadu. SO-DIMM (juga ditulis SODIMMs) adalah alternatif yang lebih kecil ke DIMM, menjadi kira-kira setengah ukuran DIMM biasa. SO-DIMM sering digunakan dalam sistem yang memiliki batasan ruang seperti notebook, PC footprint kecil (seperti mereka yang memiliki Mini-ITX Motherboard), high-end kantor diupgrade printer, dan perangkat keras jaringan seperti router. SO-DIMM memiliki 72, 100, 144, 200 atau 204 pin. Ke-72 dan 100 pin paket mendukung 32-bit transfer data, sedangkan 144, 200 dan 204 paket pin mendukung 64-bit transfer data. Hal ini sebanding dengan DIMM biasa yang memiliki 168, 184, atau 240 pin, semua mendukung 64-bit transfer data. Kebanyakan jenis SO-DIMM dapat dikenali secara sekilas oleh takik khas digunakan untuk "kunci" mereka untuk berbagai aplikasi: 100-pin SO-DIMM memiliki dua takik, 144-pin SO-DIMM memiliki satu takik dekat (tetapi tidak at) pusat, dan 200-pin SO-DIMM memiliki satu takik lebih dekat ke satu sisi.
MEMORY TERBARU
MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory)
MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) merupakan sebuah non-volatile memori, menggunakan muatan magnet untuk menyimpan data dan bukan muatan listrik seperti pada SRAM atau DRAM. MRAM telah dikembangkan sejak tahun 1990-an.
Meskipun teknologi ini sudah dikembangkan sejak 1990-an, MRAM secara formal diperkenalkan pertama kali oleh IBM pada tahun 2007. Selanjutnya, berbagai developer lain seperti NVE dan Thosiba, mulai bermunculan dengan produk MRAM-nya masing-masing.
MRAM atau Magnetoresistive Random Access Memory adalah memori (RAM) yang menggunakan teknologi electron spin untuk menyimpan informasi di sebuah komputer. MRAM telah disebut "memori yang ideal" yang menggabungkan potensi kepadatan dari DRAM dengan kecepatan SRAM dan non-volatility dari flash memory atau cakram keras. MRAM dapat menolak radiasi tinggi, dan dapat beroperasi dalam kondisi suhu yang ekstrim. MRAM sangat cocok untuk aplikasi militer dan ruang. MRAM sebenarnya dapat menggantikan semua memori di komputer - DRAM, flash dan bahkan cakram keras. MRAM juga dapat bersaing dengan kecepatan SRAM (CPU cache memory). MRAM diaktifkan komputer akan dapat segera terpasang (karena tidak akan ada perlu ada beberapa tipe memori seperti hari ini).MRAM dalam ponsel dapat berarti lebih banyak penyimpanan, dan lagi baterai.
Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.
Yang pasti, kecepatan MRAM mencapai 10 kali lipat kecepatan RAM. KEcepatan ini masih bisa terus dikembangkan dimasa depan.
Kelebihan MRAM
MRAM memiliki beberapa kelebihan dibandingkan memori-memori sebelumnya. Kelebihan-kelebihan itu antara lain:
- Teknologi MRAM dapat mempertahankan keberadaan data yang disimpan pada dirinya ketika supply energi dihentikan. (non-volatile)
- Memiliki kecepatan tulis dan baca yang lebih cepat dibandingkan dengan teknologi lain termasuk Flash RAM dan EEPROM
- Tidak seperti DRAM yang membutuhkan aliran listrik yang konstan untuk menjaga integritas data, MRAM hanya membutuhkan sedikit listrik untuk menyimpan data.
- Memiliki densitas yang tidak kalah dengan DRAM
Elpida Memory, XDR Memory 4.80GHz.
Elpida Memory, sebuah pabrikan memori terkemuka dari Jepang, mengatakan telah mulai membuat sampling memory XDR 4.80GHz. Elpida mengklaim bahwa arsitektur dari Rambus pada memori terbaru XDR ini memberikan banyak keuntungan bagi peralatan yang memperlengkapi diri menggunakan memory ini. Namun belum bisa dipastikan apakah benar chip memory terbaru Elpida ini dapat memenuhi kebutuhan pasar yang bergerak kian cepat. Pertumbuhan tuntutan pasar atas kapasitas memory untuk produk generasi baru sangatlah tinggi, seiring dengan tingginya kualitas gambar-visual yang semakin populer. Menurut Yoshitaka Kinoshita, pejabat divisi Digital Consumer pada Elpida Memory, dengan menggunakan Rambus XDR DRAM, kita dapat menekan biaya secara efektif dan memperoleh solusi kapasitas memory yang tinggi untuk konsumen.Chip memory terbaru 4.80GHz menggunakan kapasitas 512Mb dan dapat memberikan kapasitas bandwith 9.6GB/detik untuk setiap peralatan. Memory terbaru Elpida diatur dalam 8-banks (x16/x8/x4 programmable) dan tersedia dalam sebuah paket 104-ball FBGA (Fine Ball Grid Array). Disamping itu XDR juga dibuat dengan menggunakan proses teknologi Elpida 70nm.
Baik Elpida maupun Rambus mengklaim bahwa chip memory terbaru mereka sangat ideal untuk aplikasi yang menuntut unjuk kerja yang tinggi, dengan volume besar seperti HDTV (high-definition televisions), peralatan game, komputer, server maupun workstation. Klien utama pemakai memory XDR saat ini adalah Sony Computer Entertainment Inc. yang menggunakan XDR pada peralatan game Sony PlayStation 3.
Corsair Dominator GTX 2250 Mhz DDR3
Pabrikan Corsair sebagai produsen memory module bukan nama baru lagi. Kali ini DDR3 masih digenjot sampai titik 2000Mhz lebih. Corsair Dominator GTX DDR3 memiliki kecepatan 2250Mhz dengan latency 8-8-8-25, 1.65V. Memory module baru tersebut diperuntukan bagi computer procesor Core i5 dan i7.
Untuk dual channel Corsair Dominator GTX DDR3 2250Mhz atau 2 module memory terpasang akan sesuai dengan spesifikasi yang diberikan. Untuk triple channel seperti untuk Core i7 dengan chipset X58, memory akan bekerja pada top speed 2133Mhz.
Untuk mereka yang membutuhkan latency rendah seperti computer gaming berbasis AMD. Corsair Dominator GTX DDR3 2250Mhz bahkan dapat digenjot dengan latency 6-6-6-18 untuk socket AM3 atau procesor Phenom II. Perubahan disain heatsink juga berubah dan disebut sebagai DHX+ (plus), karena disain heatsink lebih besar dari model terdahulu. Corsair Dominator GTX DDR3 2250Mhz baru akan direlease minggu depan. Belum ada informasi harga untuk Corsair Dominator GTX DDR3 2250Mhz.
(berhubung penulis malas masukkan gambar, gambar cari sendiri yah sama mbah google... haha ^_^)
